Sensitivity enhancement in SiGe-on-insulator nanowire biosensor fabricated by top surface passivation

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题名:	Sensitivity enhancement in SiGe-on-insulator nanowire biosensor fabricated by top surface passivation
作者:	賴瓊惠 Lai, Chiung-Hui
贡献者:	電子工程學系 Electronics Engineering
关键词:	頂部鈍化層;奈米線 top passivation layer;nanowires
日期:	2012
上传时间:	2014-07-01 10:29:35 (UTC+8)
摘要:	頂部鈍化層增加感測器敏感度 The oxidation caused by Ge condensation increases the Ge fraction in a SiGe-on-insulator (SGOI) and significantly increases the hole mobility. This effect can be exploited to improve the sensitivity of SGOI nanowires. However, previous studies have found
显示于类别:	[電子工程學系] 期刊論文

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