Novel Oxynitride Layer Applied to Flash Memory
using HfO2 as Charge Trapping Layer

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题名:	Novel Oxynitride Layer Applied to Flash Memory using HfO2 as Charge Trapping Layer
作者:	賴瓊惠 Lai, Chiung-Hui
贡献者:	電子工程學系 Electronics Engineering
关键词:	Oxynitride;HfO2;Flash Memory 氮氧化膜;二氧化铪;快閃記憶體
日期:	2007
上传时间:	2014-06-27 02:31:08 (UTC+8)
摘要:	以氮氧化膜應用於二氧化铪為電荷捕捉層的快閃記憶體 When the thickness of tunnel oxide layer is thinner than 7nm, the defects of tunnel oxide will form the leakage path easily. The trapped charges in trapping layer leak out through the leakage path and let we read the wrong data information. Therefore, the
显示于类别:	[電子工程學系] 研討會論文

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