Novel Tunneling Oxynitride Layer Applied to Floating Gate Flash Memory

Chung-Hua University Repository > 工學院 > 電子工程學系 > 研討會論文 > Item 987654321/33797

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://chur.chu.edu.tw/handle/987654321/33797

题名:	Novel Tunneling Oxynitride Layer Applied to Floating Gate Flash Memory
作者:	賴瓊惠 Lai, Chiung-Hui
贡献者:	電子工程學系 Electronics Engineering
关键词:	穿隧含氮氧化層;懸浮閘快閃記憶體 Tunneling Oxynitride;Floating Gate Flash Memory
日期:	2010
上传时间:	2014-06-27 02:30:42 (UTC+8)
摘要:	穿隧含氮氧化層應用於懸浮閘快閃記憶體 In this letter, we propose a simple novel method to fabricate robust, reliable, high nitrogen content oxynitride dielectrics. Moreover, the process can be easily adopted by current manufacturing technology applied to floating gate flash memory. The prop
显示于类别:	[電子工程學系] 研討會論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
s_I403_0159.pdf		31Kb	Adobe PDF	121	检视/开启

在CHUR中所有的数据项都受到原著作权保护.