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    題名: The influence of inserted ZnO underlayer on the growth behavior of a-plane GaN on (0 0 1) LaAlO3
    作者: 梁美惠
    Liang, Mei-Hui
    貢獻者: 通識教育中心
    Center for General Education
    關鍵詞: Keywords;Domain;Non-polar
    日期: 2010
    上傳時間: 2014-06-27 02:13:32 (UTC+8)
    摘要: Both non-polar a-plane GaN and ZnO films grown on (0 0 1) LaAlO3 (LAO) substrates consist of
    orthogonal domain structures. The influence of inserted underlying ZnO on the growth behavior of
    subsequently grown GaN has been investigated by using transmissio
    顯示於類別:[通識中心] 期刊論文

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