使用CMOS變容二極管的電壓控制晶體振盪器（VCXO）的影響。變容二極管的操作在所謂的反轉模式（I-模式）與源極和漏極粘合在一起。它的容量評估，由的傅立葉HSPICS方法。電容小信號和大信號操作下的性能進行了分類。頻率調諧和相關的相位噪聲進行了探索。據發現，較大的調諧係數，更糟糕的相位噪聲具有在I-模式中的變容二極管。該芯片由台積電0.35微米CMOS工藝製造。包括焊墊的總面積為1.358×1.350平方毫米，在核心電路的消耗電流，漏電流：300uA。 Voltage controlled crystal oscillators (VCXO) using CMOS varactors are investigated. The varactor is operated in the so-called inversion mode (I-Mode) with source and drain bounded together. Its capacitance is evaluated by the HSPICS-Fourier methodology.
