Chung-Hua University Repository:Item 987654321/32973
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    题名: Study of Phase Noise in VCXO with Inversion-Mode Varactors
    作者: 高曜煌
    Kao, Yao-Huang
    贡献者: 通訊工程學系
    Communication Engineering
    关键词: VCXO;晶體振盪器;變容二極管;變頻調速;反轉模式
    VCXO;Crystal Oscillator;Varactor;and Frequency Control;Inversion-mode
    日期: 2013
    上传时间: 2014-06-27 02:10:40 (UTC+8)
    摘要: 使用CMOS變容二極管的電壓控制晶體振盪器（VCXO）的影響。變容二極管的操作在所謂的反轉模式（I-模式）與源極和漏極粘合在一起。它的容量評估，由的傅立葉HSPICS方法。電容小信號和大信號操作下的性能進行了分類。頻率調諧和相關的相位噪聲進行了探索。據發現，較大的調諧係數，更糟糕的相位噪聲具有在I-模式中的變容二極管。該芯片由台積電0.35微米CMOS工藝製造。包括焊墊的總面積為1.358×1.350平方毫米，在核心電路的消耗電流，漏電流：300uA。
    Voltage controlled crystal oscillators (VCXO) using CMOS varactors are investigated. The varactor is operated in the so-called inversion mode (I-Mode) with source and drain bounded together. Its capacitance is evaluated by the HSPICS-Fourier methodology.
    显示于类别:[通訊工程學系] 研討會論文

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