成長曲線應用分析與探討-以奈米碳管場發射顯示器等為例

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題名:	成長曲線應用分析與探討-以奈米碳管場發射顯示器等為例
作者:	賴以軒 franky
貢獻者:	科技管理學系 Technology Management
關鍵詞:	專利;技術預測;成長曲線模型;灰色預測理論;奈米碳管場發射顯示器
日期:	2009
上傳時間:	2014-06-27 01:39:24 (UTC+8)
摘要:	隨著科技產業的快速發展，以及智慧財產權的倍受重視，專利數量的成長早已被視為是產業或技術未來發展趨勢的領先指標，因此若能掌握專利資訊所帶來的訊息，進而預測未來的成長趨勢與發展動向，就能率先取得產業或技術的競爭優勢。本研究選定奈米碳管場發射顯示器(CNT-FED)技術之美國核准專利數量做為研究對象，利用成長曲線模型、迴歸分析與灰色預測理論等技術預測模型，進行奈米碳管場發射顯示器專利數量之預測，再以誤差分析方法進行驗證，藉此判斷各個預測模型其預測效果之良窳。本研究所使用的三種技術預測模型中，以成長曲線模型之技術
顯示於類別:	[科技管理學系] 研討會論文

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