Performance tuning of InGaZnO thin-film transistors with a SnInGaZnO
electron barrier layer

Chung-Hua University Repository > 工學院 > 電子工程學系 > 期刊論文 > Item 987654321/37527

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://chur.chu.edu.tw/handle/987654321/37527

题名:	Performance tuning of InGaZnO thin-film transistors with a SnInGaZnO electron barrier layer
作者:	吳建宏 rossiwu
贡献者:	電子工程學系 Electronics Engineering
关键词:	InGaZnO;TFTs;SnInGaZnO;EBL
日期:	2013
上传时间:	2014-07-01 10:33:40 (UTC+8)
摘要:	Indium gallium zinc oxide (InGaZnO) thin-film transistors (TFTs) with a co-sputtered tin indium gallium zinc oxide (SnInGaZnO) electron barrier layer (EBL) are fabricated. The effect of the SnInGaZnO layer thickness on device characteristics is investigat
显示于类别:	[電子工程學系] 期刊論文

文件中的档案:

没有与此文件相关的档案.

在CHUR中所有的数据项都受到原著作权保护.