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    題名: The effect of thermal annealing on the properties of IGZO TFT prepared by atmospheric pressure plasma jet
    作者: 吳建宏
    rossiwu
    貢獻者: 電子工程學系
    Electronics Engineering
    關鍵詞: IGZO
    日期: 2012
    上傳時間: 2014-07-01 10:31:43 (UTC+8)
    摘要: We fabricated bottom gate TFTs with IGZO channel layer
    deposited by atmospheric pressure plasma jet (APPJ). The effect of
    thermal annealing on the properties of IGZO TFTs was studied.
    After post annealing, the IGZO thin films showed a smooth and
    dense str
    顯示於類別:[電子工程學系] 期刊論文

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