| 題名: | 以SF6/O2/Ar感應耦合電漿蝕刻碳化矽材料 |
| 作者: | 馬廣仁
Ma, Kung-Jen |
| 貢獻者: | 機械工程學系
Mechanical Engineering |
| 關鍵詞: | 微型模具;電漿蝕刻;六氟化硫;SF6;氧
氣;O2;反應氣體
微型模具;電漿蝕刻;六氟化硫;SF6;氧
氣;O2;反應氣體 |
| 日期: | 2008 |
| 上傳時間: | 2014-06-27 03:29:02 (UTC+8) |
| 摘要: | 隨著科技商品輕量化與小型化的發產趨勢，對
於微型零件的量產而言，低成本與高精密度的微型模
具製造技術是非常重要的。對於高工作溫度的微型模
具而言，最重要的條件包括高溫強度、韌性、低熱膨
脹係數及抗沾黏特性等，碳化矽(SiC)為符合上述條件
之理想材料。
SiC很難以傳統加工方法製作出奈微米圖案。本
研究主要目地是利用六氟化硫(SF6)、氧氣(O2)、氬氣
(Ar)三種氣體混合，在SiC上製造微米結構，探討氣
體混合比例與製程時間對蝕刻之表面形貌及粗糙度
的影響。結果顯示，Ar的加入使氟(F)、氧(O)自由
隨著科技商品輕量化與小型化的發產趨勢，對
於微型零件的量產而言，低成本與高精密度的微型模
具製造技術是非常重要的。對於高工作溫度的微型模
具而言，最重要的條件包括高溫強度、韌性、低熱膨
脹係數及抗沾黏特性等，碳化矽(SiC)為符合上述條件
之理想材料。
SiC很難以傳統加工方法製作出奈微米圖案。本
研究主要目地是利用六氟化硫(SF6)、氧氣(O2)、氬氣
(Ar)三種氣體混合，在SiC上製造微米結構，探討氣
體混合比例與製程時間對蝕刻之表面形貌及粗糙度
的影響。結果顯示，Ar的加入使氟(F)、氧(O)自由 |
| 顯示於類別: | [機械工程學系] 研討會論文
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