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Item 987654321/35171
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http://chur.chu.edu.tw/handle/987654321/35171
題名:
以SF6/O2/Ar感應耦合電漿蝕刻碳化矽材料
作者:
馬廣仁
Ma, Kung-Jen
貢獻者:
機械工程學系
Mechanical Engineering
關鍵詞:
微型模具
;
電漿蝕刻
;
六氟化硫
;
SF6
;
氧 氣
;
O2
;
反應氣體
微型模具
;
電漿蝕刻
;
六氟化硫
;
SF6
;
氧 氣
;
O2
;
反應氣體
日期:
2008
上傳時間:
2014-06-27 03:29:02 (UTC+8)
摘要:
隨著科技商品輕量化與小型化的發產趨勢,對
於微型零件的量產而言,低成本與高精密度的微型模
具製造技術是非常重要的。對於高工作溫度的微型模
具而言,最重要的條件包括高溫強度、韌性、低熱膨
脹係數及抗沾黏特性等,碳化矽(SiC)為符合上述條件
之理想材料。
SiC很難以傳統加工方法製作出奈微米圖案。本
研究主要目地是利用六氟化硫(SF6)、氧氣(O2)、氬氣
(Ar)三種氣體混合,在SiC上製造微米結構,探討氣
體混合比例與製程時間對蝕刻之表面形貌及粗糙度
的影響。結果顯示,Ar的加入使氟(F)、氧(O)自由
隨著科技商品輕量化與小型化的發產趨勢,對
於微型零件的量產而言,低成本與高精密度的微型模
具製造技術是非常重要的。對於高工作溫度的微型模
具而言,最重要的條件包括高溫強度、韌性、低熱膨
脹係數及抗沾黏特性等,碳化矽(SiC)為符合上述條件
之理想材料。
SiC很難以傳統加工方法製作出奈微米圖案。本
研究主要目地是利用六氟化硫(SF6)、氧氣(O2)、氬氣
(Ar)三種氣體混合,在SiC上製造微米結構,探討氣
體混合比例與製程時間對蝕刻之表面形貌及粗糙度
的影響。結果顯示,Ar的加入使氟(F)、氧(O)自由
顯示於類別:
[機械工程學系] 研討會論文
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以SF6O2Ar感應耦合電漿蝕刻碳化矽材料.pdf
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