以 SF6/O2/Ar 感應耦合電漿蝕刻碳化矽材料

CHUR > College of Engineering > Department of Mechanical Engineering > Seminar papers > Item 987654321/35075

Please use this identifier to cite or link to this item: http://chur.chu.edu.tw/handle/987654321/35075

Title:	以 SF6/O2/Ar 感應耦合電漿蝕刻碳化矽材料
Authors:	簡錫新 Chien, H. H.
Contributors:	機械工程學系 Mechanical Engineering
Keywords:	微型模具;電漿蝕刻;六氟化硫;SF6;氧氣;O2;反應氣體微型模具;電漿蝕刻;六氟化硫;SF6;氧氣;O2;反應氣體
Date:	2008
Issue Date:	2014-06-27 03:20:19 (UTC+8)
Abstract:	隨著科技商品輕量化與小型化的發產趨勢，對於微型零件的量產而言，低成本與高精密度的微型模具製造技術是非常重要的。對於高工作溫度的微型模具而言，最重要的條件包括高溫強度、韌性、低熱膨脹係數及抗沾黏特性等，碳化矽(SiC)為符合上述條件之理想材料。 SiC很難以傳統加工方法製作出奈微米圖案。本研究主要目地是利用六氟化硫(SF6)、氧氣(O2)、氬氣 (Ar)三種氣體混合，在SiC上製造微米結構，探討氣體混合比例與製程時間對蝕刻之表面形貌及粗糙度的影響。結果顯示，Ar的加入使氟(F)、氧(O)自由隨著科技商品輕量化與小型化的發產趨勢，對於微型零件的量產而言，低成本與高精密度的微型模具製造技術是非常重要的。對於高工作溫度的微型模具而言，最重要的條件包括高溫強度、韌性、低熱膨脹係數及抗沾黏特性等，碳化矽(SiC)為符合上述條件之理想材料。 SiC很難以傳統加工方法製作出奈微米圖案。本研究主要目地是利用六氟化硫(SF6)、氧氣(O2)、氬氣 (Ar)三種氣體混合，在SiC上製造微米結構，探討氣體混合比例與製程時間對蝕刻之表面形貌及粗糙度的影響。結果顯示，Ar的加入使氟(F)、氧(O)自由
Appears in Collections:	[Department of Mechanical Engineering] Seminar papers

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
以SF6O2Ar感應耦合電漿蝕刻碳化矽材料.pdf		57Kb	Adobe PDF	124	View/Open

Loading...