| 摘要: | 本文將以業界所提供之半導體影像感測器晶圓
級封裝 (CMOS Image Sensor Wafer Level Chip Scale
Packaging, CIS WLCSP)之結構，使用有限元素法，進
行封裝後不同負載之結構分析。由於構裝體材料間熱
膨脹係數與吸濕後膨脹量的不同，使其在測試環境中
產生結構變形與內應力的產生，這些影響都將造成構
裝體的損壞。因此本文將針對較易產生破壞之處，如
基板堤壩(Dam)以及金屬墊片和金屬導線在熱負載與
吸濕效應的環境下，所造成的脫層與破裂，來分析探
討Dam 與封
本文將以業界所提供之半導體影像感測器晶圓
級封裝 (CMOS Image Sensor Wafer Level Chip Scale
Packaging, CIS WLCSP)之結構，使用有限元素法，進
行封裝後不同負載之結構分析。由於構裝體材料間熱
膨脹係數與吸濕後膨脹量的不同，使其在測試環境中
產生結構變形與內應力的產生，這些影響都將造成構
裝體的損壞。因此本文將針對較易產生破壞之處，如
基板堤壩(Dam)以及金屬墊片和金屬導線在熱負載與
吸濕效應的環境下，所造成的脫層與破裂，來分析探
討Dam 與封 |
