運用萃思(TRIZ)方法提昇IC 應力強度—以半導體封裝製程為例

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题名:	運用萃思(TRIZ)方法提昇IC 應力強度—以半導體封裝製程為例
作者:	謝玲芬 Hsieh, Ling-Feng
贡献者:	運輸科技與物流管理學系 Transportation Technology and Logistics Management
关键词:	萃思(TRIZ);IC;應力
日期:	2013
上传时间:	2014-06-27 00:19:08 (UTC+8)
摘要:	產品日新月異，客戶對於製造商品質需求多樣性。在技術限制下品質間產生衝突，如何解決品質衝突成為公司重大課題。 3C 手持行動裝置盛行，設計越輕薄造成摔落後的耐壓力可靠度因此降低，探究原因為顯示器驅動IC 應力強度不足斷裂。改善IC 品質與增進應力強度對半導體後段製造商而言品質的提升影響到產出效率。在不影響品質與強度並維持效率間的矛盾衝突為本研究所探討解決的問題。本研究以半導體後段IC 封裝生產製程遇到的品質衝突透過萃思(TRIZ)理論利用技術矛盾矩陣、三十九項工程參數以及四十發明原則中第二十八項-取代機
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運用萃思(TRIZ)方法提昇IC應力強度—以半導體封裝製程為例.pdf		55Kb	Adobe PDF	306	检视/开启

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